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TU Berlin

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Prof. em. Dr.-Ing. Hans-Günther Wagemann

Lupe

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Prof. Hans-Günther Wagemann † 27.07.2014

Professor Wagemann war aus vollem Herzen Repräsentant des
Themas Halbleitertechnik. Er war 26 Jahre lang an der TU Berlin
aktiv. Gebildet in der gesamten Breite der Technologie-
Wissenschaft, von Physik über Chemie bis zur Materialwissen-
schaft, war er die integrale Person für hoch motivierende
Lehrveranstaltungen, vorausschauende Forschung in
Photovoltaik und Biosensorik, mit Engagement in der Akademie
der Wissenschaften. Als Dekan des Fachbereichs Elektrotechnik,
als Fürsprecher des damals neuen Forschungsbereichs Mikro-
elektronik, in und außerhalb der TU Berlin bekannt und geehrt,
von seinen Mitarbeitern und Schülern wegen der menschlich
besonderen Arbeitsatmosphäre verehrt, wird die TU Berlin sein
Andenken dankbar bewahren.

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Kontakt

Telefon: +49 30 314-22442
Raum: EN 145
E-Mail: wagemann[AT]mikro.ee.tu-berlin.de
E-Mail (privat): wagemann-berlin[AT]t-online.de


Biografie

  • Hans-Günther Wagemann wurde 1935 in Soest/Westf. geboren.
  • Nach Abitur (1955) und Werkstudentenzeit Studium der Physik (1958-65) an der TU Berlin.
  • Anschließend wissenschaftlicher Mitarbeiter im Hahn-Meitner-Institut Berlin / Bereich Elektronik,
  • Promotion 1970 mit dem Thema "Strahlungsbelastbarkeit von MOS-Bauelementen beim Weltraum-Einsatz".
  • Leiter des Projektes "Strahlungsbelastbarkeit der Elektronik des deutsch-französischen Satelliten SYMPHONIE" 1970-73 im Hahn-Meitner-Institut Berlin.
  • Staatspreis der Französischen Republik 1971.
  • Erforschung neuer Methoden der Ionenimplantation am französischen Institut L.E.T.I./Grenoble 1972.
  • Berufung auf die ord. Professur "Halbleitertechnik" an der TU-Berlin (1977).
  • Gründungsmitglied der Berlin-Brandenburgischen Akademie der Wissenschaften 1992.
  • "Doctor honoris causa" der Universität Batna/Algerien 1995.
  • Emeritierung im Jahre 2003.


Arbeitsschwerpunkte

  • MOS-Bauelemente (u.a. CV-Analyse; Transportparameter im Channel; Auswirkungen von Röntgen-Lithographie auf MOS-Bauelemente)
  • Solarzellen (Entwicklung von mono- und multikristallinen Solarzellen aus Silizium mit Technologie, Analytik und Simulation; Analytik von Solarzellen aus amorphem Silizium,
  • Untersuchungen der optoelektronischen Eigenschaften von c- und mc-Silizium;
  • Kooperationen mit ausländischen Universitäten (Universitäten Batna/Algerien; Lodz/Polen; Yerevan/ Armenien; Institute of Physics / HoChi Minh City Vietnam) auf dem Gebiet Halbleitertechnik.
  • Mitglied in Ausschüssen der Berlin-Brandenburgischen Akademie der Wissenschaften.


Lehrbücher

  • H.G.Wagemann
    Halbleiter, in Bergmann-Schaefer "Experimentalphysik", Herausg. W.Raith
    Bd.IV,1; „Festkörper“, 2. Auflage 1992, 137 Seiten
  • H.G.Wagemann, H.Eschrich
    Grundlagen der photovoltaischen Energiewandlung Solarstrahlung, Halbleitereigenschaften und Solarzellenkonzepte
    Teubner Verlag Stuttgart 1994, 143 Seiten
  • H.-G. Wagemann, A. Schmidt
    Grundlagen der optoelektronischen Halbleiterbauelemente, 243 Seiten,
    B.G. Teubner  Stuttgart 1997
  • H.G.Wagemann, T.Schönauer
    Silizium-Planartechnologie, Grundprozesse, Physik und Bauelemente
    B.G.Teubner Stuttgart 2003, 212 Seiten
  • H.G.Wagemann, T.Schönauer
    CŌNG NGHĒ PLANAR SILIC;  vietnamesische Übersetzung von „Silizium-Planartechnologie, Grundprozesse, Physik und Bauelemente“;
    übersetzt von Duong Minh Tri, Verlag Trē, Ho Chi Minh City / Vietnam, 2009
  • H.G.Wagemann, H.Eschrich
    Photovoltaik, Solarstrahlung und Halbleitereigenschaften, Solarzellenkonzepte und Aufgaben
    B.G.Teubner Stuttgart, 2. Auflage 2010, 278 Seiten


Zeitschriften-Artikel (Auswahl)

  • D.Bräunig, H.G.Wagemann
    Experiments and model of non-equilibrium behavior of MIS varactors using the linear ramp technique
    IEEE Trans.ED-21 (1974), p.241-247;
  • U.Kämpf, H.G.Wagemann
    Radiation damage of thermally oxidized MOS capacitors
    IEEE Trans.ED-23 (1976), p.5-10
  • W.Krautschneider, H.G.Wagemann
    Hydrogen anneal effects on metal-semiconductor work function difference (Response to R.R.Razouk and B.E.Deal)
    J. Electrochem. Soc.129 (1982), p.2884-2885;
  • M.Böhm, H.C.Scheer, H.G.Wagemann
    Nonequilibrium behavior of depletion, inversion and accumulation grain boundaries
    IEEE Trans. ED-31(1984), p.1440-1446;
  • M.Böhm, H.C.Scheer, H.G.Wagemann
    A two-dimensional model for polycrystalline solar cells
    Solar Cells 13(1984), p.29-41;
  • W.Krautschneider, J.Laschinski, W.Seifert, H.G.Wagemann
    An accurate MOS measurement procedure for work function difference in the Al/SiO2/Si-system
    Solid State Electr. 29(1986), p.571-578;
  • W.Soppa, H.G.Wagemann
    Investigation and modelling of the surface mobility of MOSFETs from -25 to +150°C
    IEEE-Trans. ED-35(1988), p.970-977;
  • K.Bücher, J.Bruns, H.G.Wagemann
    Absorption coefficient of silicon: an assessment of measurements and the simulation of temperature variation
    J. Appl.Phys.75(1994), p.1127-1132;
  • J.Bruns, S.Gall, H.G.Wagemann
    On the Bias Dependent Characteristics of a-Si:H Solar Cells
    J. Non-Crystalline Solids 137 & 138(1991), p.1193-1196;
  • A.Ringhandt, H.G.Wagemann
    An Exact Calculation of the Two-dimensional Capacitance of a Wire and a new Approximation Formula
    IEEE-Trans.Electr.Dev.ED-40(1993), pp.1028-1032;
  • H.-J.Wildau, H.Bernt, D.Friedrich, W.Seifert, P.Staudt-Fischbach, H.G.Wagemann, W.Windbracke
    The Inversion Layer Mobility of Subhalf-micrometer n- and p-channel MOSFET's in the Temperature Range 208K -403K
    IEEE-Transactions on Electron Devices, Vol.40, No.12, p.2318-2325, 1993;
  • J.Bruns, W.Seifert, P.Wawer, H.Winnicke, D.Bräunig, H.G.Wagemann
    Improved Efficiency of Silicon Solar Cells due to He+-Implantation
    Appl. Physics Lett. 64(1994),p.2700-2702;
  • B. Krüger, Th. Armbrecht, Th. Friese, B. Tierock, H.G. Wagemann
    The Shockley-Haynes experiment applied to MOS structures.
    Solid-State Electronics Vol. 39, No. 6, pp. 891-896, 1996
  • P. Wawer, M. Rochel, H.G. Wagemann
    Unambiguous distinction between diffusion length and surface recombination velocity of solar cells at different excitation levels.
    J. Appl. Phys., Vol. 85 (1999), p.7764 – 7767 ;
  • T.Kautzsch, A.Braun. H.G.Wagemann
    Effect of Surface Topology of Amorphous Substrates on the Growth Mechanism and Grain Size of APCVD Grown Silicon for Solar Cells
    Materials Science and Engineering B73 (2000), p.208 – 211,
  • B. von Ehrenwall, A. Braun, H.G. Wagemann
    Growth Mechanism of Silicon deposited by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition on Different Ceramic Substrates
    J. Electrochem. Soc. 147 (2000), p.340 – 344,

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