Inhalt des Dokuments
Fehleranalyselabor
Der Schwerpunkt des Fachgebiets liegt in Charakterisierungs-, Analyse- und Reparaturverfahren für die gesamte Spanne vom Entwurf über die Herstellung bis zu Funktions- und Zuverlässigkeitstests von Halbleiterbauelementen. Diese Verfahren sind in der Entwicklung von neuen Halbleiter-Technologien und -Produkten von unschätzbarem Wert, weil sie die Effizienz der Lernschritte im Projekt maximieren und so die Zeit bis zur Markteinführung minimieren helfen. Die Welt der Halbleiter-Analyseverfahren steht derzeit in einem Umbruch. Aufgrund komplizierter Metallisierungs- und Gehäusetechnologien muss die Analyse und Reparatur von der Rückseite der strukturierten Oberfläche angegangen werden. Dies erfordert eine komplett neue Methodik, die auch den Forschungsschwerpunkt des Fachgebiets darstellen soll. Durch Forschungskooperationen mit namhaften Herstellern der Analysegeräte aus Japan und USA ergibt sich die einzigartige Möglichkeit, in der Universität Techniken grundlegend zu erforschen, die in der Industrie gerade in Basisapplikationen in Einsatz gelangen.
- Lokalisierung und Bestimmung von Arbeitspunkten von Bauelementen im elektrischen Betrieb mit Elektrolumineszenz (Photon Emission, PEM) und Laser-Stimulations- Techniken (OBIRCH, TIVA etc). Partner: Hamamatsu
- Freilegen, Modifizieren, Auftrennen und Neuverdrahten von Bauelementen mit Focused Ion Beam (FIB) für gezielten Materialabtrag, selektive Rückpräparation und Schichtabscheidung bei niedriger Prozesstemperatur. Partner: DCG Systems
Diese Techniken visualisieren die Arbeitsweise elektronischer Bauelemente und modifizieren deren Funktionalität, indem wie in der Chirurgie im Festkörper modelliert wird. Der hohe Grad der Anschaulichkeit macht die Methoden zu idealen Bestandteilen in Lehre und ausbildungsorientierter Forschung.
Localization of Device Properties and Device Modification with Access from the Backside of the Die
Zusatzinformationen / Extras
Direktzugang
Hilfsfunktionen
- Schriftgröße:
