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TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Prof. Dr.-Ing. Christian Boit

Lupe

Leiter des Fachgebietes Halbleiterbauelemente
seit 1. Juli 2002


Kontakt
Telefon: +49 30 314-25520
Fax: +49 30 314-29761
Raum: E 103
E-Mail: christian.boit[AT]tu-berlin.de

Sprechzeiten
Dienstag 15:00-16:00 Uhr (nach Anmeldung), in der vorlesungsfreien Zeit nach Vereinbarung

Eintrag bei Google scholar (Link)

Lehrveranstaltungen

  • Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Praktikum Grundlagen und Bauelemente (Praktikum, WS)
  • Physik und Technologie der Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Technologie-Praktikum: Herstellung eines MOS-Transistors (Praktikum, WS)
  • Leistungshalbleiterbauelemente (Vorlesung, SS)
  • Debug von Halbleiterbauelementen in integrierten Schaltungen (Integrierte LV, SS)
  • Ausgewählte Kapitel der Halbleiterbauelemente (Seminar, SS)
  • Solarzellen-Messtechnik [ehemals: Analyse des Aufbaus von Solarzellen und -Modulen] (Praktikum, SS)


Biografie

  • Studium der Physik und Promotion in Elektrotechnik über die Bestimmung der Ladungsträgerlebensdauer in Leistungsbauelementen mit Hilfe der Messung von Rekombinationsstrahlung bei Prof. Dr. Gerlach an der TU Berlin
  • 1986 Start in der Forschung und Entwicklung der Siemens AG in München im Entwicklungprojekt für 10kV-Thyristoren,
  • 1988 Pionier in der Einführung der Elektrolumineszenz als Messmethode für die Mikroelektronik-Fehleranalyse (unter dem Namen Photonen-Emissions-Mikroskopie)
  • 1990 Wechsel in das erste IBM-Siemens Joint Venture, die Entwicklung des 64M DRAM in East Fishkill, NY, USA für parametrische Charakterisierung
  • 1993 Übertritt in den Siemens-Bereich Halbleiter (später Infineon Technologies AG) als Leiter der Technologie-Fehleranalyse in München-Perlach,
    ab
  • 1997 als Direktor firmenverantwortlich für Strategie und Koordination in Fehleranalyse und Leiter der gesamten Fehleranalyse-Abteilung in München
  • VDE-itg-Preis 1993 in Frankfurt/M. für einen Review-Artikel
  • Verschiedene Lehrveranstaltungen an der Universität New Mexico, Albuquerque, sowie auf Seminaren verschiedener internationaler Konferenzen
  • Gründungs- und Direktoriumsmitglied der Fehleranalysegesellschaft EDFAS,
    Mitglied im VDE, darin Sprecher der Fachgruppe 8.5 "Qualität und Zuverlässigkeit in integrierten Schaltungen"
  • Mitorganisator der ISTFA, der weltweit führenden Konferenz für Fehleranalyse elektronischer Bauelemente, 2002 als General Chairman

Publikationen

U. Kindereit and G. Woods and J. Tian and U. Kerst and C. Boit (2007). Investigation of Laser Voltage Probing Signals in CMOS Transistors. Proceedings of the 45th International Reliability Physics Symposium (IRPS 2007). IEEE Soc., 526-533.


P. Laskowski and A. Glowacki and C. Boit and V. Gottschalk and H. Suzuki (2007). Application of Lock-in Phase Sensitive Detection to Thermal Laser Stimulation of ICs. Official Proceedings of the International Conference "Thermal Problems in Electronics". sowadruk.pl, 173-182.


R. Schlangen and R. Leihkauf and C. Boit and B. Kruger (2007). Functional IC Analysis Through Chip Backside With Nano Scale Resolution - E-Beam Probing in FIB Trenches to STI Level. Proceedings of the 14th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2007). IEEE Press, 35-38.


R. Schlangen and U. Kerst and C. Boit and S. Schömann and B. Krüger and R. Jain and T. Malik and T. Lundquist (2007). FIB backside circuit modification at the device level, allowing access to every circuit node with minimum impact on device performance by use of Atomic Force Probing. Proceedings of the 33rd International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2007). ASM International, 34-40.


R. Schlangen and R. Leihkauf and U. Kerst and C. Boit and R. Jain and T. Malik and K. Wilsher and T. Lundquist and B. Krüger (2007). Backside E-Beam Probing on Nano Scale Devices. Proceedings of the International Test Conference (ITC 2007). IEEE, 1-9.


R. Schlangen and P. Sadewater and U. Kerst and C. Boit (2006). Contact to Contacts or Silicide by use of Backside FIB Circuit Edit allowing to approach every Active Circuit Node. Microelectronics Reliability, 1489-1503.


S. Brahma and J. Heinig and A. Glowacki and R. Leikauf and C. Boit (2006). Distinction of Photo-Electric and Thermal Effects in a MOSFET by 1064 nm Laser Stimulation. Proceedings of the 13th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2006). IEEE Press, 333-339.


R. Schlangen and R. Leihkauf and U. Kerst and C. Boit (2006). Functional IC Analysis Through Chip Backside With Nano Scale Resolution - E-Beam Probing in FIB Trenches to STI Level. Proceedings of the 32nd International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2006). ASM International, 376-381.



S. Brahma and C. Boit and A. Glowacki (2005). Seebeck effect detection on biased device without OBIRCH distortion using FET readout. Microelectronics Reliability, 1487-1492.


R. Schlangen and U. Kerst and A. Kabakow and C. Boit (2005). Performance Evaluation of FIB Edited Circuits through Chip Backside Exposing Shallow Trench Isolations. Microelectronics Reliability, 1544-1549.


C. Boit and R. Schlangen and A. Kabakow and U. Kerst (2005). Impact of Backside Circuit Edit on Active Device Performance in Bulk Silicon ICs. Computer Society, 48.2/1-9.


C. Boit and U. Kerst and P. Sadewater and R. Schlangen (2005). Contacting Diffusion with FIB for Backside Circuit Edit - Procedures and Material Analysis. Proceedings of the 31st International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2005). ASM International, 64-69.


C. Boit and A. Glowacki (2005). Characterization of Thermoelectric Devices in ICs as Stimulated by a Scanning Laser Beam. Proceedings of the 43th International Reliability Physics Symposium (IRPS 2005), 450-457.


S. Brahma and C. Boit and A. Glowacki (2004). Localization of FET device performance with thermal laser stimulation.. Microelectronics Reliability, 1699-1702.


C. Boit and U. Kerst and P. Sadewater and R. Leihkauf and S. Schönmann and E. Le Roy and T. Lundquist (2004). Contacting Silicon with FIB for Backside Circuit Edit. Proceedings of the 30th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2004). ASM International, 157-161.


C. Boit and A. Glowacki and S. Brahma and K. Wirth (2004). Thermal laser stimulation of active devices in silicon-a quantitative FET parameter investigation. Proceedings of the 43th International Reliability Physics Symposium (IRPS 2004), 357-369.


S. Peters and R. Leihkauf and H.-G. Wagemann and C. Boit (2004). I(V)-characteristic of Si thin-film solar cells within a monolithically series-interconnected SOI module: measurement and simulation. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 690-693.


C. Boit and F. Beaudoin and R. Desplats and P. Perdu (2004). Principles of Thermal Laser Stimulation Techniques.. Microelectronics Failure Analysis - Desk Reference Fifth Edition. ASM International, 417-425.


C. Boit (2004). New Package Technologies as Trigger of a Paradigm Shift in Physical Techniques for IC Debug: Access Through Backside.. The World of Electronic Packaging and System Integration.. ddp goldenbogen, 408-414.


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Fachgebiet Halbleiterbauelemente
Sekr. E4
Einsteinufer 19
10587 Berlin