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TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Prof. Dr.-Ing. Christian Boit

Lupe

Leiter des Fachgebietes Halbleiterbauelemente
seit 1. Juli 2002


Kontakt
Telefon: +49 30 314-25520
Fax: +49 30 314-29761
Raum: E 103
E-Mail: christian.boit[AT]tu-berlin.de

Sprechzeiten
Dienstag 15:00-16:00 Uhr (nach Anmeldung), in der vorlesungsfreien Zeit nach Vereinbarung

Eintrag bei Google scholar (Link)

Lehrveranstaltungen

  • Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Praktikum Grundlagen und Bauelemente (Praktikum, WS)
  • Physik und Technologie der Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Technologie-Praktikum: Herstellung eines MOS-Transistors (Praktikum, WS)
  • Leistungshalbleiterbauelemente (Vorlesung, SS)
  • Debug von Halbleiterbauelementen in integrierten Schaltungen (Integrierte LV, SS)
  • Ausgewählte Kapitel der Halbleiterbauelemente (Seminar, SS)
  • Solarzellen-Messtechnik [ehemals: Analyse des Aufbaus von Solarzellen und -Modulen] (Praktikum, SS)


Biografie

  • Studium der Physik und Promotion in Elektrotechnik über die Bestimmung der Ladungsträgerlebensdauer in Leistungsbauelementen mit Hilfe der Messung von Rekombinationsstrahlung bei Prof. Dr. Gerlach an der TU Berlin
  • 1986 Start in der Forschung und Entwicklung der Siemens AG in München im Entwicklungprojekt für 10kV-Thyristoren,
  • 1988 Pionier in der Einführung der Elektrolumineszenz als Messmethode für die Mikroelektronik-Fehleranalyse (unter dem Namen Photonen-Emissions-Mikroskopie)
  • 1990 Wechsel in das erste IBM-Siemens Joint Venture, die Entwicklung des 64M DRAM in East Fishkill, NY, USA für parametrische Charakterisierung
  • 1993 Übertritt in den Siemens-Bereich Halbleiter (später Infineon Technologies AG) als Leiter der Technologie-Fehleranalyse in München-Perlach,
    ab
  • 1997 als Direktor firmenverantwortlich für Strategie und Koordination in Fehleranalyse und Leiter der gesamten Fehleranalyse-Abteilung in München
  • VDE-itg-Preis 1993 in Frankfurt/M. für einen Review-Artikel
  • Verschiedene Lehrveranstaltungen an der Universität New Mexico, Albuquerque, sowie auf Seminaren verschiedener internationaler Konferenzen
  • Gründungs- und Direktoriumsmitglied der Fehleranalysegesellschaft EDFAS,
    Mitglied im VDE, darin Sprecher der Fachgruppe 8.5 "Qualität und Zuverlässigkeit in integrierten Schaltungen"
  • Mitorganisator der ISTFA, der weltweit führenden Konferenz für Fehleranalyse elektronischer Bauelemente, 2002 als General Chairman

Publikationen

Origins of electrostatic potential wells at dislocations in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 thin films
Zitatschlüssel Diet2014103507
Autor J. Dietrich and D. Abou-Ras and S. Schmidt and T. Rissom and T. Unold and O. Cojocaru-Miredin and T. Niemann and M. Lehmann and C. Koch and C. Boit
Seiten 103507
Jahr 2014
DOI http://dx.doi.org/10.1063/1.4867398
Journal Journal of Applied Physics
Jahrgang 115
Nummer 10
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Adresse

Technische Universität Berlin
Fachgebiet Halbleiterbauelemente
Sekr. E4
Einsteinufer 19
10587 Berlin