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TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Prof. Dr.-Ing. Christian Boit

Lupe

Leiter des Fachgebietes Halbleiterbauelemente
seit 1. Juli 2002


Kontakt
Telefon: +49 30 314-25520
Fax: +49 30 314-29761
Raum: E 103
E-Mail: christian.boit[AT]tu-berlin.de

Sprechzeiten
Dienstag 15:00-16:00 Uhr (nach Anmeldung), in der vorlesungsfreien Zeit nach Vereinbarung

Eintrag bei Google scholar (Link)

Lehrveranstaltungen

  • Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Praktikum Grundlagen und Bauelemente (Praktikum, WS)
  • Physik und Technologie der Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Technologie-Praktikum: Herstellung eines MOS-Transistors (Praktikum, WS)
  • Leistungshalbleiterbauelemente (Vorlesung, SS)
  • Debug von Halbleiterbauelementen in integrierten Schaltungen (Integrierte LV, SS)
  • Ausgewählte Kapitel der Halbleiterbauelemente (Seminar, SS)
  • Solarzellen-Messtechnik [ehemals: Analyse des Aufbaus von Solarzellen und -Modulen] (Praktikum, SS)


Biografie

  • Studium der Physik und Promotion in Elektrotechnik über die Bestimmung der Ladungsträgerlebensdauer in Leistungsbauelementen mit Hilfe der Messung von Rekombinationsstrahlung bei Prof. Dr. Gerlach an der TU Berlin
  • 1986 Start in der Forschung und Entwicklung der Siemens AG in München im Entwicklungprojekt für 10kV-Thyristoren,
  • 1988 Pionier in der Einführung der Elektrolumineszenz als Messmethode für die Mikroelektronik-Fehleranalyse (unter dem Namen Photonen-Emissions-Mikroskopie)
  • 1990 Wechsel in das erste IBM-Siemens Joint Venture, die Entwicklung des 64M DRAM in East Fishkill, NY, USA für parametrische Charakterisierung
  • 1993 Übertritt in den Siemens-Bereich Halbleiter (später Infineon Technologies AG) als Leiter der Technologie-Fehleranalyse in München-Perlach,
    ab
  • 1997 als Direktor firmenverantwortlich für Strategie und Koordination in Fehleranalyse und Leiter der gesamten Fehleranalyse-Abteilung in München
  • VDE-itg-Preis 1993 in Frankfurt/M. für einen Review-Artikel
  • Verschiedene Lehrveranstaltungen an der Universität New Mexico, Albuquerque, sowie auf Seminaren verschiedener internationaler Konferenzen
  • Gründungs- und Direktoriumsmitglied der Fehleranalysegesellschaft EDFAS,
    Mitglied im VDE, darin Sprecher der Fachgruppe 8.5 "Qualität und Zuverlässigkeit in integrierten Schaltungen"
  • Mitorganisator der ISTFA, der weltweit führenden Konferenz für Fehleranalyse elektronischer Bauelemente, 2002 als General Chairman

Publikationen

A. Teodoreanu and F. Friedrich and L. Korte and R. Leihkauf and M. Kittler and B. Rech and C. Boit (2013). 2D simulations of the grain boundary light beam induced current (GB-LBIC) technique on polycrystalline silicon thin film. Proceedings on 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Ehibition (EU PVSEC 2013). WIP Munich, 2666-2670.


C. Boit (2012). Photon Emission: A Technique Supposed to Fade Is Dying Really Hard. Electronic Device Failure Analysis, 46-47.


T. Breuer and U. Kerst and C. Boit and E. Langer and H. Ruelke and A. Fissel (2012). Conduction and material transport phenomena of degradation in electrically stressed ultra low-k dielectric before breakdown. Journal of Applied Physics, 124103-1-10.


J. Dietrich and D. Abou-Ras and T. Rissom and T. Unold and H. Schock and C. Boit (2012). Compositional Gradients in Cu(InGa)Se2 Thin Films for Solar Cells and Their Effects on Structural Defects. IEEE Journal of Photovoltaics, 364-370.


A. Glowacki and C. Boit and P. Perdu (2012). Optimum Si thickness for backside detection of photon emission using Si-CCD. Microelectronics Reliability, 2031-2034.


C. Pagano and C. Boit and A. Glowacki and R. Leihkauf and Y. Yokoyama (2012). Comparison of FET-optical modulation for 1300 nm and 1064 nm Laser sources. Microelectronics Reliability, 2024-2030.


C. Boit and A. Glowacki and C. Pagano and U. Kerst and Y. Yokoyama (2012). Quantitative Aspects of Optical IC Debug Using State-of-the Art Backside Preparation. Proc. IEEE IPFA 2012. ASM int., 1-6.


M. Boostandoost and X. Ycaza and R. Leihkauf and U. Kerst and C. Boit (2012). Challenges for parametric analysis of the solar cells using failure analysis technique developed for the microelectronics. Conference Proceedings from the 38th Int. Symp. for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2012). ASM International, 255-263.


A. Glowacki and C. Boit and Y. Yokoyama and P. Perdu (2012). Photon emission spectra of FETs as obtained by InGaAs detector. Conference Proceedings from the 38th Int. Symp. for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2012). ASM International, 123-125.


C. Helfmeier and C. Boit and U. Kerst (2012). On charge sensors for FIB attack detection. Proceedings of International Symposium on Hardware-Oriented Security and Trust (HOST) 2012. IEEE press, 128-133.


R. Di Giacomo and G. Landi and C. Boit and H. Neitzert (2012). Monitoring of the formation of a photosensitive device by electric breakdown of an impurity containing oxide in a MOS capacitor. SPIE Proceedings - Advanced Fabrication Technologies for Micro/Nano Optics and Photonics V


C. Boit and M. Boostandoost and F. Friedrich and A. Glowacki (2011). Testing and failure analysis of thin film solar cells. Phys. Status Solidi C, 3005-3008.


M. Boostandoost and F. Friedrich and U. Kerst and C. Boit and S. Gall and Y. Yokoyama (2011). Characterization of poly-Si thin-film solar cell functions and parameters with IR optical interaction techniques. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 1553-1579.


S. Brahma and A. Glowacki and R. Leihkauf and C. Boit (2011). Laser induced impact ionization effect in MOSFET during 1064 nm laser stimulation. Microelectronics Reliability, 1632-1636.



P. Ivo and A. Glowacki and E. Bahat-Treidel and R. Lossy and J. Würfl and C. Boit and G. Tränkle (2011). Comparative study of alGaN/GaN HEMTS robustness versus buffer design variations by applying Electroluminescence and electrical measurements. Microelectronics Reliability, 217-223.


M. Boostandoost and F. Friedrich and U. Kerst and U. Boit and S. Gall (2011). Investigation of Enhanced Photocurrent at the Grain Boundary of Thin Film Polycrystalline Silicon Solar Cells by Infrared LBIC. 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference. WIP-Munich.de, 2791-2795.


M. Boostandoost and A. Glowacki and O. Bakaeva and U. Kerst and C. Boit (2011). Can illuminated IV-characteristics of micro-regions in solar cells be measured by laser-induced stimulation?. Proceedings of the 37th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2011). ASM International, 330-335.


J. Dietrich and D. Abou-Ras and T. Rissom and T. Unold and H. Schock and C. Boit (2011). Effect of compositional gradients on structural defects in Cu(In,Ga)Se2 thin films for solar cells. Proceedings of 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 2011). IEEE press, 343-347.


U. Kindereit and O. Mutihac and C. Boit and B. Tillack (2011). Spectral resolution of photon emission from SiGe:C heterojunction bipolar transistors (HBTs). Proceedings of the 49th International Reliability Physics Symposium (IRPS 2011). IEEE print, 514-519.


Zusatzinformationen / Extras

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Technische Universität Berlin
Fachgebiet Halbleiterbauelemente
Sekr. E4
Einsteinufer 19
10587 Berlin