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TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Prof. Dr.-Ing. Christian Boit

Lupe

Leiter des Fachgebietes Halbleiterbauelemente
seit 1. Juli 2002


Kontakt
Telefon: +49 30 314-25520
Fax: +49 30 314-29761
Raum: E 103
E-Mail: christian.boit[AT]tu-berlin.de

Sprechzeiten
Dienstag 15:00-16:00 Uhr (nach Anmeldung), in der vorlesungsfreien Zeit nach Vereinbarung

Eintrag bei Google scholar (Link)

Lehrveranstaltungen

  • Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Praktikum Grundlagen und Bauelemente (Praktikum, WS)
  • Physik und Technologie der Halbleiterbauelemente (Vorlesung, WS)
  • Technologie-Praktikum: Herstellung eines MOS-Transistors (Praktikum, WS)
  • Leistungshalbleiterbauelemente (Vorlesung, SS)
  • Debug von Halbleiterbauelementen in integrierten Schaltungen (Integrierte LV, SS)
  • Ausgewählte Kapitel der Halbleiterbauelemente (Seminar, SS)
  • Solarzellen-Messtechnik [ehemals: Analyse des Aufbaus von Solarzellen und -Modulen] (Praktikum, SS)


Biografie

  • Studium der Physik und Promotion in Elektrotechnik über die Bestimmung der Ladungsträgerlebensdauer in Leistungsbauelementen mit Hilfe der Messung von Rekombinationsstrahlung bei Prof. Dr. Gerlach an der TU Berlin
  • 1986 Start in der Forschung und Entwicklung der Siemens AG in München im Entwicklungprojekt für 10kV-Thyristoren,
  • 1988 Pionier in der Einführung der Elektrolumineszenz als Messmethode für die Mikroelektronik-Fehleranalyse (unter dem Namen Photonen-Emissions-Mikroskopie)
  • 1990 Wechsel in das erste IBM-Siemens Joint Venture, die Entwicklung des 64M DRAM in East Fishkill, NY, USA für parametrische Charakterisierung
  • 1993 Übertritt in den Siemens-Bereich Halbleiter (später Infineon Technologies AG) als Leiter der Technologie-Fehleranalyse in München-Perlach,
    ab
  • 1997 als Direktor firmenverantwortlich für Strategie und Koordination in Fehleranalyse und Leiter der gesamten Fehleranalyse-Abteilung in München
  • VDE-itg-Preis 1993 in Frankfurt/M. für einen Review-Artikel
  • Verschiedene Lehrveranstaltungen an der Universität New Mexico, Albuquerque, sowie auf Seminaren verschiedener internationaler Konferenzen
  • Gründungs- und Direktoriumsmitglied der Fehleranalysegesellschaft EDFAS,
    Mitglied im VDE, darin Sprecher der Fachgruppe 8.5 "Qualität und Zuverlässigkeit in integrierten Schaltungen"
  • Mitorganisator der ISTFA, der weltweit führenden Konferenz für Fehleranalyse elektronischer Bauelemente, 2002 als General Chairman

Publikationen

C. Pagano and C. Boit and Y. Yokoyama (2011). Detecting Laser Beam Reflectance Modulated by Electronic Device Operation with a Simple Setup. Proceedings of the 49th International Reliability Physics Symposium (IRPS 2011). IEEE print, 774-779.


P. Scholz and U. Kerst and T. Kujawa and T. Lundquist and C. Boit (2011). Instant Solid Immersion Lens creation in silicon with a Focused Ion Beam - comparing refractive and diffractive methods. Proceedings of the 37th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2011). ASM International, 46-53.


F. Beaudoin and R. Desplats and P. Perdu and C. Boit (2011). Principles of Thermal Laser Stimulation Techniques. Microelectronics Failure Analysis - Desk Reference Sixth Edition. ASM International, 340-348.


C. Boit (2011). Fundamentals of Photon Emission (PEM) in Silicon - Electroluminescence for Analysis of Electronic Circuit and Device Functionality. Microelectronics Failure Analysis - Desk Reference Sixth Edition. ASM International, 279-291.


C. Boit and K. Scholtens and R. Weiland and S. Görlich and D. Schlenker (2011). Managing the Unpredictable - A Busines Model for Failure Analysis Service. Microelectronics Failure Analysis - Desk Reference Sixth Edition. ASM International, 627-634.


M. Boostandoost and U. Kerst and C. Boit (2010). Extraction of local thin-film solar cell parameters by bias-dependent IR-LBIC. Microelectronics Reliability, 1899-1902.


P. Scholz and C. Gallrapp and U. Kerst and T. Lundquist and C. Boit (2010). Optimizing focused ion beam created solid immersion lenses in bulk silicon using design of experiments. Microelectronics Reliability, 1523-1528.


C. Boit and V. Dallakyan and V. Gomtsyan and T. Karapetyan and U. Kerst and V. Rashoyan and R. Vardanyan (2010). Experimental investigation of laser beam transmission and focusing inside of mediums. Proceedings of Engineering Academy of Armenia. Elsevier, 332-337.


C. Boit and V. Dallakyan and U. Kerst and R. Vardanyan (2010). Computer-aided analysis of laser beam transmission and focusing inside of materials. Proceedings of Engineering Academy of Armenia. Elsevier, 531-535.


M. Boostandoost and U. Kerst and C. Boit (2010). Microscopic characterization of thin-film crystalline silicon solar cells by electroluminescence and infrared LBIC. Proceedings of the 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. WIP - Renewable Energies, 3556-3556.


M. Boostandoost and U. Kerst and C. Boit (2010). Activation Energy Analysis of Dark and Laser Illuminated I-V Characteristics of Thin-Film Poly Silicon Solar Cells. Proceedings of the 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2010). ASM International, 158-162.


T. Breuer and U. Kerst and C. Boit and E. Langer and H. Ruelke (2010). Ultra-Low-k Porous SiCOH Dielectric Degradation Process before Breakdown. Proceedings of the 17th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2010). IEEE Press, 91-96.


T. Breuer and U. Kerst and C. Boit and E. Langer and H. Ruelke (2010). Ultra-Low-k Dielectric Degradation before Breakdown. Proceedings of the 48th International Reliability Physics Symposium (IRPS 2010). IEEE Society, 890-894.


A. Glowacki and C. Helfmeier and U. Kerst and C. Boit (2010). Improvement of optical resolution through chip backside using FIB trenches. Proceedings of the 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2010). ASM International, 176-180.


T. Kiyan and C. Brillert and C. Boit (2010). Timing Characterization of a Tester Operated Integrated Circuit by Continuous and Pulsed Laser Stimulation. Proceedings of the 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2010). ASM International, 211-216.


P. Scholz and U. Kerst and T. Kujawa and T. Lundquist and C. Boit (2010). Developing a Chemistry-Assisted Focused Ion Beam Process for 'On-Demand' Solid Immersion Lenses in Silicon. Proceedings of the 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2010). ASM International, 389-392.


A. Glowacki and P. Laskowski and C. Boit and P. Ivo and E. Bahat-Treidel and R. Pazirandeh and R. Lossy and J. Würfl and G. Tränkle (2009). Characterization of stress degradation effects and thermal properties of AlGaN/GaN HEMTS with photon emission spectral signatures. Microelectronics Reliability, 1211-1215.


R. Schlangen and R. Leihkauf and U. Kerst and T. Lundquist and P. Egger and C. Boit (2009). Physical analysis, trimming and editing of nanoscale IC function with backside FIB processing. Microelectronics Reliability, 1158-1164.


M. Boostandoost and H. Lin and U. Kerst and C. Boit (2009). Analysis of poly-Si thin film solar cells by IR-LBIC. Proceedings of the 35th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2009). ASM International, 157-161.


P. Ivo and A. Glowacki and E. Bahat-Treidel and R. Pazirandeh and R. Lossy and J. Würfl and G. Tränkle and C. Boit (2009). Influence of GaN cap on robustness of AlGaN/GaN HEMTs. Proceedings of the 47th International Reliability Physics Symposium (IRPS 2009). IEEE Press, 71-75.


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Sekr. E4
Einsteinufer 19
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